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电容器行业文章09

点击:60 日期:2018-09-03 选择字号:
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电容器行业文章09

在电力电子系统中,IGBT常常是其主要的开关器件,IGBT损坏,可能会导致相当大的经济损失,因此,保护IGBT是非常重要的。在电力电子系统中,由于主回路中杂散电感的存在,当关断IGBT的时候,集电极-发射极电流会快速下降,电感的特性是电流不能瞬变,会产生感应电动势,形成尖峰电压:Vovershoot=Lstray*di/dt

尖峰电压的方向和直流母线电压Vdc-link方向一致,叠加在母线上,Vce=Vovershoot+Vdc-link,当Vce过高时,就有可能损坏IGBT。过压是导致IGBT损坏的常见原因之一,特别是在大功率场合,由于往往电流较大,尖峰问题相对明显。

为了抑制尖峰电压,除了在IGBT驱动器上采用一定的措施如有源钳位等进行电压钳位外,还需要在直流母线两端添加吸收电容,吸收掉尖峰电压。

为了更好的吸收效果,除了选取合适容值,电压等基本参数的电容外,吸收电容本身还有许多其他特性也是很重要的,一款良好的吸收电容还应该有低ESL,低ESR,低损耗因数,高脉冲负载能力等。
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