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纯源突波吸收电容器(Snubber Capacitor)

点击:2016 日期:2015-07-06 选择字号:
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纯源突波吸收电容器(Snubber Capacitor)
       现代半导体技术在电力电子方面的应用趋势显示,功率器件的开关电流和电压不断增加,同时开关速度也显著上升。功率半导体领域的发展也包括了IGBTs(Insulated Gate Bipolar Transistor) 和IGBT模块。使用IGBTs必须设计低电感线路,而这种电路一般采用具有高du/dt的电容。甚至低电感的导流条也能减少存在于集电极和发射极间的突波电压,而这种电压会损坏价值较高的功率器件。



   为保护线路中的功率器件,必需使用缓冲回路。该回路的关键器件是低电感、高脉冲电容,可以截去峰值电压。一般有三种基本的线路可采用。




应用于吸收回路的电容必须具备以下条件:低电感、低等效电阻、高脉冲承受能力、低损耗因素。为了使线路的电感较小,电容的安装尽可能靠近受保护的功率器件,并且牢固。




一、CSG型
二、CSF型
三、CSD型
 

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